在半导体器件的制取全过程中，每一个全过程都牵涉到清理，清理的品质立即危害到下一个全过程，乃至危害机器设备的生产量和可信性。因为ULSI处理速度的迅速提升和机器设备规格的减少，对集成ic表层的环境污染规定更为严苛。ULSI技术性必须吸咐不超过500平米/平米，金属材料环境污染低于1010atom/cm2。芯片生产中每一个全过程的潜在性环境污染会造成缺点和机器设备常见故障。因而，硅单晶的清理造成了专业人员的留意。以往，很多生产商应用手工制作清理的方式 ，一方面非常容易造成残片的经济收益，另一方面，手工制作清理的硅单晶表层洁净度很差，环境污染比较严重。下一个全过程中的达标率较低。因而，硅单晶的清理技术性造成了大家的关心，发觉简易合理的清理方式 是重中之重。文中详细介绍了一种超声波清洗技术性，其清理硅单晶的实际效果是一种非常值得营销推广的硅片超声波清洗机清洗技术性。

　　集成ic表层的分子因为竖直切成片方位的离子键的毁坏而变为悬架键。因而，亚铁离子的环境污染更为比较严重。另外，因为耐磨材料中碳碳复合材料片的粒度大，切削后的硅单晶损坏层超过飘浮键的总数，非常容易吸咐各种各样残渣。如颗粒物有机化学残渣无机物残渣金属离子硅烟尘等，磨片后硅单晶非常容易变蓝发黑，使数控磨床不符合规定。硅片清洗的目地是清除各种各样空气污染物的洁净度，立即决策ULSI具备较高的处理速度和可信性。这牵涉到高美化环境、水化学药品和相对的机器设备和配套装置。